在我国科技人员在DNA储存行业有新突破，中国dna数据存储突破

中国存储芯片突破关键技术，领先国外且即将量产

#头条创作挑战赛#近日国产存储芯片企业——长江存储突然宣布完成了232层3DNAND闪存的技术突破，并完成了量产准备工作，即将投入正式量产。真是可喜可贺。

232层3DNAND闪存具有速度快、价格低的特点。其速度远超美日韩的存储芯片。目前，美日韩的存储芯片还处于200层的NDNA闪存的技术推进阶段，比中国长江存储慢了一个档次。也就是说，中国长江存储这次发布的232层3DNDNA闪存代表了目前世界上最高的闪存技术，实现了从落后，到跟随，到如今的超越，而且是完全的自主研发。

长江存储虽然于2016年才成立，但其技术力争雄厚。从一开始就高度重视技术自研，并提出了自己的技术标准——Xtacking标准，也得到了同行业的一致认可。从32层，到64层，到128层，再到如今的232层，基本上每两年都有技术升级。

随着国产芯片的不断突破，目前国产手机的芯片自给率达到了70%以上，预计不久的将来，国产的各类芯片将实现完全自研、自产、自给。